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Suppression of dissipation in Nb thin films with triangular antidot arrays by random removal of pinning sites

机译:用三角形反点抑制Nb薄膜的耗散   通过随机删除钉扎点的数组

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摘要

The depinning current Ic versus applied magnetic field B close to thetransition temperature Tc of Nb thin films with randomly diluted triangulararrays of antidots is investigated. % Our experiments confirm essentialfeatures in Ic(B) as predicted by Reichhardt and Olson Reichhardt [Phys.Rev. B76, 094512 (2007)]. % We show that, by introducing disorder into periodicpinning arrays, Ic can be enhanced. % In particular, for arrays with fixeddensity n_p of antidots, an increase in dilution Pd induces an increase in Icand decrease of the flux-flow voltage for B>Bp=n_p Phi_0.
机译:研究了去钉电流Ic对施加磁场B的影响,该磁场强度接近于随机稀释有解毒剂三角形阵列的Nb薄膜的转变温度Tc。 %我们的实验证实了Reichhardt和Olson Reichhardt [Phys.Rev。 B76,094512(2007)。 %我们表明,通过将无序引入周期性固定阵列,可以增强Ic。特别地,对于具有固定浓度的解毒剂n_p的阵列,当B> Bp = n_p Phi_0时,稀释液Pd的增加会引起Icand的磁通量降低。

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